CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بررسی شرایط بهینه رشد و رشد تک بلورهای ZnSx Se1-x به روش CTV

عنوان مقاله: بررسی شرایط بهینه رشد و رشد تک بلورهای ZnSx Se1-x به روش CTV
شناسه ملی مقاله: BLUR01_001
منتشر شده در اولین کنفرانس رشد بلور ایران در سال 1393
مشخصات نویسندگان مقاله:

بهنام دیبایی اصل - گروه فیزیک دانشکده علوم پایه ، دانشگاه سمنان
مجید جعفر تفرشی - گروه فیزیک دانشکده علوم پایه ، دانشگاه سمنان
مصطفی فضلی - گروه شیمی دانشکده علوم پایه ، دانشگاه سمنان
مریم عالی دائی - گروه فیزیک دانشکده علوم پایه ، دانشگاه سمنان

خلاصه مقاله:
با استفاده از مدلی ترمودینامیکی شرایط بهینه جهت رشد تک بلورهای ZnSxSe(1-x) به روش CVT معین گردید. دمای بهینه برای مقادیر مختلف x یه ازای غلظت های مختلف عامل انتقال بر حسب تابعی از دمت بدست آمد. بلورهای ZnSxSe(1-x) برای غلظت عامل انتقال C=2 mg/cm3 و مقادیر x=0.3 و x=0.6 و x=0.9 رشد داده شدند. کیفیت ظاهری و مورفولوژی بلورهای رشد یافته، میزان توافق نتایج تجربی را با مدل ترمودینامیکی ارائه شده، نشان دادند.

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/386557/