صمد قلندری - کارشناس ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
آرش احمدی - استادیار، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه

در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستور FD SOI Mosfet به منظور بهبود پارامتر DIBL و همچنین بهبود اثر خودگرمایی ارائه شده است.ایده اصلی این ساختار تغییر در ضخامت لایه Box ترانزیستور که به منظور بهبود پارامتر DIBL و اثر خودگرمایی می باشد.

اثر خودگرمایی- FD SOI Mosfet - DIBL