سمیرا دمی زاده - دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس، دانشکده فنی و مهندسی، گروه الکترونیک بندرعباس، ایران
فرشاد بابازاده - استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی(ره) شهر ری، گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، تهران

دراین مقاله، طراحی و شبیه سازی یک مالتی پلکسر 4به 1 ارایه شده است که درآن ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی(CNFET) جایگزین ترانزیستورهای CMOS گردیده است. این مالتی پلکسر مبتنی بر تکنولوژی CNFET 32nm بوده و کاملا با فرآیندهای ساخت مدارهای مجتمع سازگار می باشد. در این مقاله مدار مالتی پلکسر یک بار با تکنولوژی 45 نانومتر باردیگر با تکنولوژی 32 نانو متر شبیه سازی شده است و نتایج حاصل، با نتایج شبیه سازی مدار طراحی شده با ترانزیستور های نانولوله کربنی مقایسه گردیده است. شبیه سازی مالتی پلکسر با استفاده از نرم افزار HSPICE انجام شده و مقایسه نتایج حاصل از شبیه سازی مدار طراحی شده در تکنولوزی CNFET 32nm نسبت به تکنولوژی CMOS32nm نشان می دهد پاسخ فرکانسی 125.92 برابر افزایش داشته، توان مصرفی 68.08 برابر کاهش داشته است، سیستم ازنظر نویزپذیری پایدار است و زمان صعود 1.96 برابر کاهش داشته است که همگی نشان دهنده مزایای مدار طراحی شده می باشد.

مالتی پلکسر، ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی، نانولوله کربنی ، CNFET