طراحی و ساخت تضعیف کننده ی PIN_FET باندS
Publish place: The Second National Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 710
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF02_515
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
Abstract:
کنترل توان به ضرورت در اکثر مدارات مایکروویوی پیش می آید. به صورتی برای جلوگیری از آسیب توان به طبقات بعدی مدار مایکرویوی کنترل توان مطرح می شود. به این منظور از مدارات تضعیف کننده مایکروویوی که در انواع پسیو و اکتیو موجود می باشند استفاده می شود. مزیت مدارات اکتیو قابل کنترل بودن و انتخاب تضعیف مورد نیاز می باشد. دراین مقاله به تشریح یک ساختار اکتیو متشکل از pin diod و fet پرداخته شده است. ازمزایای این طرح داشتن یک تضعیف wide band در باند 2-4GHz که با ولتاژ قابل کنترل می باشد. و رسیدن به کمینه و بیشینه تضعیف -1 تا -13dB می باشد. با توجه به نتایج مدار ساخته شده تا حد زیادی به نتایج فوق رسیده ایم.
Authors
سید مجتبی جلال نیا
پژوهشکده باقر العلوم سازمان جهاد خودکفایی نهسا، درب غربی استادیوم آزادی
غلامرضا مرادی
دانشگاه امیرکبیر،دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :