مدلسازی تحلیلی جریان درین در ترانزیستورهای ماسفت دو گیتی متقارن کانال کوتاه در حضور حامل های بار متحرک کانال
Publish place: National Conference on Practical Approach to Implementing Scientific Concepts, Theory Topics and Applied Research in Technical Sciences
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,123
This Paper With 5 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EMAP01_063
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
Abstract:
در این مقاله ،با در نظر گرفتن اثرات حامل های متحرک ومعادله ی پتانسیل دوبعدی ترانزیستور ماسفت دوگیتی رابطه ای برای جریان ماسفت دوگیتی به دست آمده است.رابطه ی جریان به دست آمده برای همه ی شرایط کاری ترانزیستور(زیر آستانه تا تخلیه ) صادق است وبه پتانسیل شبه فرمی وموقعیت کانال یا پتانسیل ماسفت دو گیتی در نقاط خاص مانند سطح یا مرکز بستگی ندارد.
Keywords:
Authors
لیلا باقری
کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات یزد- دانشکده مهندسی-گروه برق- یزد- ایران
سیدامیر هاشمی
استادیار، دانشگاه شهرکرد-گروه مهندسی برق- شهرکرد-ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :