تحلیل عددی جریان و انتقال حرارت نانوسیالها در حضور میدان مغناطیسی به روش LBM
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 733
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNTA03_099
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
Abstract:
در این مقاله تاثیر میدان مغناطیسی متغیر بر رفتار جریان و انتقال حرارت نانوسیال مغناطیسی با استفاده از روش لتیس بولتزمن تحلیل عددی گردیده است. برای بررسی تاثیرات و صحت سنجی از مطالعه موردی حفره که دمای دیواره های آن بصورت خطی تغییر میکند و میدان مغناطیسی متغیر در قالب اعداد ریچاردسون و هارتمن که بعنوان یک نیروی حجمی در دامنه حل تاثیرگذار میگردد استفاده شده است. نتایج عددی نشان میدهد که با افزایش عدد ریچاردسون خطوط جریان برگشتی در حفره بوجود می آید که جهت چرخش این خطوط، عکی خطوط اصلی است. اعداد نوسلت محلی با افزایش عدد هارتمن کاهش و با افزایش میزان زاویه افزایش مییابد
Keywords:
Authors
جلال قاسمی
استاد مهندسی مکانیک، دانشگاه زنجان، زنجان
مهران شاکری
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی مکانیک، دانشگاه زنجان، زنجان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :