بررسی بهبود انتقال جرم درنانوسیالات به کمک آنالوژی قیاس جرم و حرارت
Publish place: 2nd International Conference of Oil, Gas & Petrochemical
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 724
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOGPP02_178
تاریخ نمایه سازی: 29 آبان 1394
Abstract:
پس ازارایه فناوری نانو و به کارگیری خواص جدیدی ازمواد درابعادنانومتر این فناوری به تمام زمینه های علمی و صنعتی راه یافته و به سرعت پیشرفت چشمگیری کردها ست باظهور مفهوم نانوسیال نیز تلاشهای زیادی برای توسعه این فناوری درجهت بهبود انتقال حرارت صورت گرفته است حال باتوجه به اهمیت پدیده انتقال جرم درصنایع مختلف گسترسش مطالعات دراین زمینه ضروری به نظر می رسد بسیار ی ازمطالعات بیانگر بهبود درضریب انتقال جرم درسیالات حاوی نانوذرات می باشند اما هیچگونه مکانیسم یارابطه عمومی معتبر برای توصیف پدیده انتقال جرم درنانوسیالات وجود ندارد دراین پژوهش ازروابط پیشنهادشده براساس انالوژی جرم و حرارت استفاده شده و بانتایج موجود درمقالات مقایسه شده است و با انجام رگرسیون غیرخطی ضرایب مناسب برای این رابطه بدست آمده است درپایان نتایج بدست آمده با نتایج موجود مقایسه شده و مشاهدات مشابهی بدست آمده است
Keywords:
Authors
زهرا شکوهی شولی
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی شیمی دانشکده نفت گازوپتروشیمی دانشگاه خلیج فارس بوشهر
احمد آذری
استادیار گروه مهندسی شیمی دانشکده نفت گازوپتروشیمی دانشگاه خلیج فارس بوشهر
مصطفی تیموری
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی شیمی دانشکده نفت گازوپتروشیمی دانشگاه خلیج فارس بوشهر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :