طراحی LNA بهره بالا درفرکانس 10 گیگاهرتز بااستفاده ازHJFET فوق کم نویز
Publish place: National Conference of Technology, Energy & Data on Electrical & Computer Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,315
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TEDECE01_008
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
Abstract:
در این مقاله، طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده ی کم نویز (LNA) در فرکانس 01 گیگاهرتز نشان دادهشده است. در طراحی این LNA به منظور دستیابی به بهره ی بالا، از یک HJFET فوق کم نویز شرکت NEC به شماره ی NE32684 در توپولوژی سورس مشترک به صورت ساختار چهار طبقه استفاده شده است. برای حداقل کردن عدد نویز (Noise Figure) تقویت کننده، شبکه ی تطبیق ورودی به گونه ای طراحی شده که امپدانس دیده شده از ورودی به سمت منبع، برابر با امپدانس نویز بهینه (ZOPT) گردد. تمامی شبکه های تطبیق ورودی، میانی و خروجی با استفاده از خطوط انتقال مایکرواستریپ روی بستر RO3003 طراحی شده اند. پس از شبیه سازی به وسیله ی نرم افزار ADS ، بهره و عدد نویز به ترتیب 53/2و0/5 دسیبل، توان مصرفی 041 میلی وات، و ضرائب VSWR ورودی و خروجی به ترتیب 1/96و1/01 بدست آمده اند دراینجا دو ضریب شایستگی FOM1 و FOM2 به ترتیب 80/9 و100/2 محاسبه شدند که نسبت به طرح های پیشین اختلاف محسوسی دارند
Keywords:
Authors
سیدمحمدرضا ابطحی
گروه برق دانشگاه آزاد اسلا می واحد بوشهر، بوشهر، ایران
نجمه چراغی شیرازی
گروه برق دانشگاه آزاد اسلا می واحد بوشهر، بوشهر، ایران
روزبه حمزه ئیان
گروه برق دانشگاه آزاد اسلا می واحد بوشهر، بوشهر، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :