ساختارشناسی و آنالیز کار های ترانزیستورهای با تحرک بالا الکترون
Publish place: National Conference of Technology, Energy & Data on Electrical & Computer Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 678
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TEDECE01_103
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
Abstract:
نوعی ترانزیستور اثر میدانی و یا اصطلاحا همان FET است که طوری طراحی شده که در فرکانس های مایکروویو بالایی داشته باشد ازخصوصیات ویژه این ترانسفورماتور ضریب نویز کم درفرکانسهای بالا و مایکروویو است درفرکانسهای بالا و نوسان کننده های مایکروویو عملکرد بسیارمطلوبی دارد و میزان نویزپذیری آن را دراین مدارات بسیارپایین است مکانیسم کوانتومی این ترانزیستور مبتنی برنوع موادسازنده آن است که دونوع ازترانزیستور HEMT را میتوان با آن ساخت موادسازنده این ترانزیستور ازقبیل: گالیوم - آرسنیک - ایندیوم - فسفات - نیترات - آلومینیوم می باشد دونوع ترانزیستور pHEMT,mHEMT راداریم و میتوان باآنها مدارات فرکانس بالا را بانویز کم و توان بالا طراحی و شبیه سازی کنیم
Keywords:
Authors
حامد مرادی
شرکت پژوهشی آرشام پرداز میهن (APM ) ، کرمانشاه، ایران
طیب نامداران
شرکت پژوهشی آرشام پرداز میهن (APM ) ، کرمانشاه، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :