افسانه رحیمی حقیقی - موسسه آموزش عالی جهاد دانشگاهی اصفهان
عبدالحسین رضائی - جهاد دانشگاهی واحد صنعتی اصفهان

در این مقاله روش جدیدی برای بهبود ویژگیهای ترانزیستورهای گرافنی ارائه شده است. در روش پیشنهادی از ناخالصی AlN به جای Al2o3 استفاده شده است. این امر باعث شده در خصوصیات ترانزیستور گرافنی تغییراتی ایجاد شود. ترانزیستور گرافنی جدید با استفاده از نرم افزار متلب شبیهسازی شده و خصوصیات ترانزیستور گرافنی مورد ارزیابی قرار گرفته است. نتایج شبیهسازی نشان می دهد که نسبت جریان به ولتاژ درین-سورس، ولتاژ Vbg و همچنین فاصله همینگ نسبت به نتایج ارائه شده در مقالات قبل بهبود یافته است

نانوالکترونیک،ترانزیستورهای گرافنی، ناخالصی AlN