استفاده از لایه الماس در باکس ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق
Publish place: National Conference of Technology, Energy & Data on Electrical & Computer Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 495
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TEDECE01_218
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
Abstract:
هدایت گرمایی الماس 01 برابر از سیلیکون و 0111 برابر از اکسید سیلیکون بیشتر میباشد. این مشخصه، الماس را بعنوان یک هادی گرمایی خوب معرفی کرده و باعث انتقال یکنواخت حرارت میگردد. با توجه به این مشخصه میتوان گفت که ترانزیستورهای سیلیکون بر روی الماس جایگزین خوبی برای نسل آینده ترانزیستورها به ویژه در کاربردهایی با قابلیت هدایت گرمایی بالا بوده به طوری که با پایین آمدن دما، امکان استفاده از این تکنولوژی در شرایط توان بالا مهیا میگردد. افزون بر مزیت عالی تکنولوژی سیلیکون روی الماس، بدلیل ضریب گذردهی بالاتر ماده الماس نسبت به اکسید سیلیکون، خازنهای کوپلاژ بین سورس و درین با بدنه از طریق لایه الماس بزرگتر شده و این موج بدتر شدن اثرات کانال کوچه در افزارههای زیر میکرون شده است، لدا لازم است جهت بهبود اثرات کانال کوتاه در تکنولوژی سیلیکون روی الماس، این ساختارها مورد بررسی بیشتری قرار گیرد
Keywords:
Authors
صمد قلندری
کارشناسی ارشد، گروه برق، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه ، کرمانشاه، ایران
آرش احمدی
دانشیار، گروه برق، دانشکده فنی مهندسی، واحد کرمانشاه، دانشگاه آزاد اسلامی کرمانشاه، ایران.
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :