طراحی یک مدار تمام جمعکننده ی جدید برای تکنولوژی ولتاژ زیر آستانه

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 518

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

TEDECE01_293

تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394

Abstract:

در این مقاله یک ساختار جدید تمامجمعکنندهی تک بیتی ارائه شده است. مدارهای موجود برای بلوکهای تمامجمعکننده بررسی وهمچنین تمامجمعکنندهی طراحی شده با تمامجمعکنندههای رایج از نظر تأخیر انتشار، توان مصرفیP2DP و PDP در تکنولوژی ولتاژ زیر آستانه مقایسه شده است. نتایج شبیهسازی نرمافزارHSPICE نشان میدهد که تمامجمعکنندهی پیشنهادی با 51 ترانزیستور، نسبت به تمامجمعکنندهی TG که ساختار برتر تمامجمعکنندههای رایج میباشد، در مقدار PDP6.3 و در مقدارP2DP 51.21 بهبود یافته است. مقایسه ساختارهای تمامجمعکننده در منبع ولتاژ mV 132 انجام شده است

Keywords:

جمعکننده تک بیتی , تکنولوژی ولتاژ زیر آستانه , تأخیر انتشار , توان مصرفی

Authors

ابراهیم پاک نیت

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک دانشگاه بین المللی امام رضا (ع)

سیدرضا طالبیان

عضو هیئ علمی دانشگاه بین المللی امام رضا (,ع)

میلاد جلالیان عباسی مراد

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک دانشگاه بین المللی امام رضا(ع)

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • V. Sharma and . Kumar, "Low-Power 1-bit CMOS Full Adder ...
  • S. Goel, A. Kumar, and M. A. Bayoumi, "Design of ...
  • V. Moalemi and A.Afzali-Kusha, "Subthreshold 1-Bit Full Adder Cells _ ...
  • D. Radhakrishnan, "Low-voltage low-power CMOS full adder, " Circuits, Devices ...
  • _ _ _ _ _ _ _ 2003 ...
  • _ _ _ _ Integrated Networks (SPIN), 2014 International Conference ...
  • _ _ _ Solid-State Circuits, 2009. EDSSC 2009 IEEE Interhationat ...
  • _ _ A. B. Ghazali, "Performanc analysis of full adder ...
  • _ _ _ _ Amir- Society Annual Symposium o VLSI. ...
  • _ _ _ _ Circuits, _ IEEE Transactions on Very ...
  • Makoto Suzuki, Norio Ohkubo, Toshinobu Shinbo, Toshiaki Yamanaka, :A 1.5-ns ...
  • Jian-Fei Jiang, Zhi-Gang Mao, Wei-Feng He, Qin Wang, "A New ...
  • نمایش کامل مراجع