بررسی خواص الکتریکی و اپتیکی مولتی لایه گالیم آرسناید و آلومینیوم آرسناید برای کاربرد در سلولهای خورشیدی جهت ذخیره سازی انرژی نوری

در این مقاله با استفاده از محاسبات شبیه سازی کوانتومی برای سیستمهای بس ذرهی الکترونی، به مطالعه خواص الکترونی و اپتیکی انبوهه ی گالیوم آرسناید همراه با غلظتهایی از اتم آلومینیوم به صورت ناخالصی پرداخته شده است. همچنین در این مقاله دادههای الکترونی و اپتیکی برای ابریاختههای چند لایهای و یا به بیان دیگر نیمهرساناهای نوع دوم از این ترکیبت به صورتهای GaAs/AlAs / GaAs و AlGaAs/GaAs/AlGaAs مورد مطالعه و تحلیل قرار گرفته شده است. با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی همراه با پتانسیل کامل الکترونی (FP+LAPW) به حل معادله شرودینگر بس ذرهای پرداخته شده است. این مدلها در قالب نظریه تابعی چگالی و با استفاده از نرم افزار شبیه سازی کوانتومی wien2k انجام شدهاند. دادههای الکترونی مورد مطالعه ازقبیل چگالی حالات الکترونی (Density of states) وساختار نواری انرژی (Bandstructure) میباشند همچنین در قسمت اپتیکی با استفاده از روش تقریب فاز تصادفی (Randomphaseapproximation) به حل معادلات موج ماکسول در ترکیبات مورد نظر پرداخته و طیفهای اپتیکی از قبیل طیف تابع دی الکتریک حقیقی و موهومی، طیف بازتابش، تابع جذب اپتیکی و همچنین تابع افت انرژی الکترون مورد بررسی قرار گرفته شده است.