مریم غفاری - گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد نور، دانشگاه آزاد اسلامی مازندران، ایران
سیدصالح قریشی امیری - گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد نور، دانشگاه آزاد اسلامی مازندران، ایران
رضا یوسفی - گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد نور، دانشگاه آزاد اسلامی مازندران، ایران

ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی را در شرایط بالستیک می توان با استفاده از مدل مرجعFETToy با حل خودسازمانده بین معادله پواسن و معادله انتقال بار شبیه سازی نمود. در روش فوق از اثرات جریان تونل زنی نوار به نوار صرفنظر می شود. در این مقاله با وارد نمودن جریان تونلی در نرم افزار شبیه ساز، اثر آن را بر روی جریان ترانزیستور مشاهده می کنیم. همچنین اثرات پراکندگی الاستیک و کرنش را نیز درنرم افزارFETToy وارد و اثرات آن را بر روی عملکرد افزاره مشاهده و مورد بررسی و مقایسه قرار خواهیم داد

پراکندگی الاستیک، تونل زنی نوار به نوارBTBT ، کرنش، نانولوله کربن CNT ,FETToy