Electrical properties of gold thin films during annealing temperature
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 371
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNN05_814
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
Abstract:
In This paper, we report the results of electrical characterization of gold thin films. Au thin films were deposited by centrifugal technique on glass substrates and cross sectional image display that thickness.The electrical resistance of thin films as a function of film annealing temperature was studied and I-V diagram was exposed. AFM images indicated transformation in morphology of surfaces. Increase in temperature from ambient temperature to about 50° C, we see decrease and afterwards increase in surface resistance.
Keywords:
Authors
M Emami
Department of Physics, Sahid Beheshti University, Tehran, Iran
N Mansour
Department of Physics, Sahid Beheshti University, Tehran, Iran
M Pouramini
Department of chemistry, Sahid Beheshti University, Tehran, Iran