Effects of impurity on the transport properties of T-shaped graphene nanoribbon
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 385
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNN05_846
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
Abstract:
Effects of impurity on the electronic transport properties of a T-shaped armchair graphene nanoribbonjunction is numerically investigated. Using a generalized Green's function method and the Landauer-Büttikerformalism, the impurity conditions are determined by substitution of carbon atoms in the honeycomb graphenenanoribbon lattice by nitrogen and boron atoms. We have found that transport characteristics, including thetransmission function and current-voltage characteristics are strongly influenced by type of impurity as well as itsconcentration. Results show that the existence of impurities can cause a metal-semiconductor transition in thesystem.We think that the results of the present report could be useful for designing the future graphene-based electronicdevices.
Keywords:
Authors
E Mahichi
Department of Physics, Sari Branch, Islamic Azad University, Sari, Iran
A Ahmadi Fouladi
Department of Physics, Sari Branch, Islamic Azad University, Sari, Iran