CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

تحلیل و بررسی شبیه سازی ترانزیستور HEMT در مدار تقویت کننده نویز کم LNA فرکانس بالا

عنوان مقاله: تحلیل و بررسی شبیه سازی ترانزیستور HEMT در مدار تقویت کننده نویز کم LNA فرکانس بالا
شناسه ملی مقاله: RSTCONF01_215
منتشر شده در کنفرانس بین المللی پژوهش در مهندسی، علوم و تکنولوژی در سال 1394
مشخصات نویسندگان مقاله:

حامد مرادی - دستیار استادیار ، کارشناس ارشد ، رشته الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه علوم و تحقیقات سنندج
طیب نامداران - دستیار استادیار ، کارشناس ارشد ، رشته الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه علوم و تحقیقات کرمانشاه
محمدمهدی کارخانه چی - استادیار ، دکترا ، الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه علوم و تحقیقات کرمانشاه

خلاصه مقاله:
در این مقاله به بررسی میزان نویز در مدارات LNA1 در سیستم های فرمانس بالا و ماکروویو که در ان ترانزیستور 2HEMT استفاده شده است، می پردازیم. میزان نویز ایجاد شده در این مدارات به دو صورت است: نویز داخلی ترانزیستور و نویز خارجی مدار این ترانزیستور دارای قابلیت بهره توان بالا در فرکانس های بالا است و نویز پذیری آن نیز به مراتب کمتر می باشد که امر موجب افزایش راندمان کاری این ترانزیستور در مدارات می باشد. در این مقاله با بررسی مدل سیگنال کوچک وسیگنال بزرگ و پارامترهای ذاتی و غیرذاتی میتوان ترانزیستور و مدارا آنرا تحلیل نمود تا بتوان از طریق نمودار 3S میزان نویز و دیگر پارامترها را می توان بدست آورد

کلمات کلیدی:
فرکانس مایکروویو ، LNA ، فرکانس قطع ، پارامتر S ، نویز

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/398286/