آنالیز ساختار داخلی ترانزیستور HEMT
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 3,050
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
RSTCONF01_233
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
Abstract:
نوعی ترانزیستور اثر میدانی و یا اصطلاحا همان 1FET است که طوری طراحی شده که در فرکانس های مایکروویو کارآیی بالایی داشته باشد. از خصوصیات ویژه این ترانزیستور ضریب نویز کم در فرکانس های بالا و مایکروویو است. در فرکانس های بالا و نوسان کننده های مایکروویو عملکرد بسیار مطلوبی دارد و میزان نویز پذیری آن در این مدارات بسیار پایین است. مکانیسم کوانتومی این ترانزیستور مبتنی بر نوع مواد سازنده آن است که دو نوع از ترانزیستور HEMT را می توان با آن ساخت. مواد سازنده این ترانزیستور از قبیل : گالیوم- آرسنیک- ایندیوم- فسفات- نیترات- آلومنیوم می باشد. دو نوع ترانزیستو ر pHEMT و mHEMT را داریم و می توان با آنها مدارات فرکانس بالا را با نویز کم و توان بالا طراحی وشبیه سازی کنیم
Keywords:
Authors
حامد مرادی
دستیار استادیار ، کارشناس ارشد ، رشته الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه علوم و تحقیقات
طیب نامداران
دستیار استادیار ، کارشناس ارشد ، رشته الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه علوم و تحقیقات
ایمان پورداد
مقطع کاردانی ، رشته الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه آزاد اسلامی
محمدرسول عیوضی
مقطع کاردانی ، رشته الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه غیرانتفاعی جهاد دانشگاهی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :