بررسی تأثیر ساختار ناحیه فعال تقویت کننده نوری نیمه هادی (SOA) در بهره تقویت
Publish place: 1404 National Conference on Vision and Technological Advances in Engineering Sciences
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 810
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TAES01_003
تاریخ نمایه سازی: 1 آذر 1394
Abstract:
با توجه به تقاضای رو به رشد اینترنت و گسترش شبکه های مخابراتی، نیاز به حرکت به سوی شبکه های قابل انعطاف و تکامل یافته در زیرساخت ها هستیم. از این روست که شبکه های سریع و قابل انعطاف نوری خود را نشان می دهند. در شبکه های انتقال فیبر نوری، تقویت کننده نوری نیمه هادی وظیفه تقویت سیگنال را در فواصل مختلف را بر عهده دارد. با توجه به اینکه بهره قطبش TE و TM در این تقویت کننده یکسان نیست، از این رو از تقویت کننده های با ساختار ناحیه فعال ساده به سوی تقویت کننده های با ساختار ناحیه فعال کشش و تنشی حرکت نموده اند که این نوع تقویت کننده های نوری بهره تقویت یکسانی را برای هر دو قطبش به وجود می آورند. در این موضوع ما به شبیه سازی این دو نوع تقویت کننده پرداخته ایم.
Authors
آرام قادری
دانشجوی دانشکده تحصیلات تکمیلی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کردستان، سنندج، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :