CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بررسی حرارتی و جریان نانوسیال در حضور میدان مغناطیسی با روش گالرکین

عنوان مقاله: بررسی حرارتی و جریان نانوسیال در حضور میدان مغناطیسی با روش گالرکین
شناسه ملی مقاله: TAES01_118
منتشر شده در کنفرانس ملی چشم انداز ۱۴۰۴ و پیشرفتهای تکنولوژیک علوم مهندسی در سال 1394
مشخصات نویسندگان مقاله:

نیما هدایتی - ساختمان مهیدسی مکانیک دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل ,ایران
عباس رامیار - ساختمان مهیدسی مکانیک دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل ,ایران

خلاصه مقاله:
در این مقاله انتقال حرارت و جریان غیرپایا در حضور میدان مغناطیسی بین دو صفحه متحرک بررسی می شود. تأثیر اثرات ترموفرسیس و همچنین حرکات براونی در مدل جریان نانوسیال لحاظ شده است. سه معادله حاکم به کمک روش تحلیلی گالرکین حل می شود. مقایسه بین این روش با کارهای گذشته دقت حل این روش را تأیید می کند. شبیه سازی نیمه تحلیلی پارامترهای مؤثری را به وجود می آورد که عبارتند از: عدد اسکوز، عدد اکرت و عدد هارتمن، نتایج نشان می دهند که با افزایش عدد هارتمن و عدد اسکوز ضریب اصطکاک پوسته ای سیال افزایش می یابد. همچنین با افزایش عدد هارتمن و عدد اکرت مقدار عدد ناسلت کاهش می یابد.

کلمات کلیدی:
عدد هارتمن، نانوسیال، حرکت براونی، ترموفرسیس، کالرکین

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/400861/