تحلیل وطراحی مرجع ولتاژ شکاف انرژی CMOS باجبرانسازی منحنی
عنوان مقاله: تحلیل وطراحی مرجع ولتاژ شکاف انرژی CMOS باجبرانسازی منحنی
شناسه ملی مقاله: COMCONF01_421
منتشر شده در کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر در سال 1394
شناسه ملی مقاله: COMCONF01_421
منتشر شده در کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر در سال 1394
مشخصات نویسندگان مقاله:
ابراهیم فرشیدی - دانشیارعضو هیئت علمی گروه برق دانشکده مهندسی دانشگاه شهیدچمران اهواز
عادل بغلانی - کارشناسی ارشدالکترونیک دانشگاه شهیدچمران اهواز
خلاصه مقاله:
ابراهیم فرشیدی - دانشیارعضو هیئت علمی گروه برق دانشکده مهندسی دانشگاه شهیدچمران اهواز
عادل بغلانی - کارشناسی ارشدالکترونیک دانشگاه شهیدچمران اهواز
مدارمرجع ولتاژ CMOS باجبران سازی منحنی مرتبه بالا ازدما دراین مقاله پیشنهاد شدها ست ساختارمدار فقط ازترانزیستور های CMOS که غالبا درناحیه زیراستانه بایاس شده اند تشکیل شده است و فاقد مقاومت و ترانزیستورهای BJT است
کلمات کلیدی: مدارمرجع ولتاژ ، شکاف انرژی ، جبران سازی مرتبه بالا ، مبدل آنالوگ به دیجیتال ، ناحیه زیرآستانه
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/404521/