بهبود مشخصه جریان ـ ولتاژ ترانزیستورGaN MOS-HEMT بالایه موثرفلزی
Publish place: International Conference on New Research Findings in Electrical Engineering and Computer Science
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 458
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_557
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
Abstract:
دراین مقاله تاثیر برمشخصه ی جریان ـ ولتاژ دونوع عایق درساختارترانزیستور GaN MOS- hemt مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد که اثر Si3N4 درنقطه داغ و چسبندگی بهتر ازSIO2 است اما عملکرد ترانزیستور را درمشخصه IDS/VDS کاهش میدهد استفاده ازیک لایه فلزی دربخش AlGaN دراین ترانزیستور علاوه بربهبود این مشخصه نقطه داغ را نیز میتوان کنترل کرد
Keywords:
Authors
سپهر ضرغامی
دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه
علی نرگسی خجسته
دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه
محمدمهدی کارخانه چی
دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :