بهبود مشخصه جریان ـ ولتاژ ترانزیستورGaN MOS-HEMT بالایه موثرفلزی

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 458

This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

COMCONF01_557

تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394

Abstract:

دراین مقاله تاثیر برمشخصه ی جریان ـ ولتاژ دونوع عایق درساختارترانزیستور GaN MOS- hemt مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد که اثر Si3N4 درنقطه داغ و چسبندگی بهتر ازSIO2 است اما عملکرد ترانزیستور را درمشخصه IDS/VDS کاهش میدهد استفاده ازیک لایه فلزی دربخش AlGaN دراین ترانزیستور علاوه بربهبود این مشخصه نقطه داغ را نیز میتوان کنترل کرد

Authors

سپهر ضرغامی

دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه

علی نرگسی خجسته

دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه

محمدمهدی کارخانه چی

دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • حق شناس، علی فتحی پور، مرتضی؛ "بستگی اثرات خودگرمایی با ...
  • S. Adak, S. K. Swain, A. Singh, H. Pardeshi, S. ...
  • A. Taube, M. Sochacki, J. Szmidt, E. Kaminska, A. Piotrowska; ...
  • Kenneth L. Holmes, _ _ Two _ dimen sional ...
  • Nitride/G allium Nitride HIGH Electron Mobility TRANS ISTOR" _ Naval ...
  • Yuan-Zheng Yue, Yue Hao, Jin-Cheng Zhang; "AlGaN/GaN MOS-HEM with Stack ...
  • Wang Chong, Ma Xiaohua, Feng Qian, Hao Yue , Zhang ...
  • W. D. Hu, X. S. Chen, Z. J. Quan, C. ...
  • Jorge A. Ferrer Perez; _ Theral Study Of A GaN-BASED ...
  • نمایش کامل مراجع