محمدجواد توکلی سراوانی - گروه برق موسسه آموزش عالی مهرآستان
سیدعلی صدیق ضیابری - گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت

در سالهای اخیر بحث فناوریهای جایگزین برای فناوریCMOS به شدت رونق گرفته است، که در این میان فناوری نانو الکترونیک بسیار مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی به عنوان یکی ازپرکاربردترین ادوات نانو الکترونیک آینده در حوزهی دیجیتال و آنالوگ در پژوهشهای فراوانی مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است، که از جمله کاربرد های آن، در حوزهی فرکانس بالا میباشد. در این پژوهش، ما با استفاده از فرمولبندی تابعگرین غیر تعادلی، تأثیر میزان غلظت آلایش را بر روی شاخص فرکانس قطع افزارهی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی باآلایش سبک درین و سورس شبیهسازی کرده و مورد تحلیل قرار دادهایم. همچنین ثابت کردهایم که کاهش غلظت آلایش ناحیه با آلایش سبک، اگرچه باعث کاهش نرخ جریان روشن به خاموش، بهخصوص در جریانهای روشن بزرگ میشود، اما عملکرد فرکانسی ترانزیستور را در محدودهی وسیعی از ولتاژ گیت-سورس به خوبی بهبود میبخشد

ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی، تابع گرین غیر تعادلیNEGF ، آلایش سبک درین و سورس، ، فرکانس قطعfT