مدل مداری جدید در تکنولوژی CMOS استاندارد برای بررسی و تحلیل گذرای حافظه های فلش
Publish place: 13th Annual Conference of Computer Society of Iran
Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,032
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ACCSI13_023
تاریخ نمایه سازی: 25 آبان 1386
Abstract:
در این مقاله روش طراحی و تحلیل مداری سلول های حافظه فلش در تکنولوژی m0/18 تک پلی سیلکین ارائه می گردد. مدل ارائه و حالت گذرا را بدون نیاز به صرف زمان طولانی شبیه سازی ارائه می دهد. برای محاسبه dc شده تطابق قابل توجهی از نظر نقطه کار ولتاژ گیت شناور، روش آ یینه ج ریان ایده آل به همراه روش ولتاژ گیت کنتر لی ارائه می گردند. به این ترتیب امکان شبیه سازی یک سلول حافظه فلش در یک ش بیه ساز مدا ری مثلSPICE فراهم می گردد. در این روش بر ای اعمال حالت ه ای نوشتن/پاک کردن رابطه تونل ز نیFowler-Nordheim مورد استفاده قرار می گیرد. همچنین استفاده از یک منبع ولتاژ وابسته به ولتاژ در این مدل باعث افز ایش دقت شده و ارائة روش ج دید نوشتن / پاک کردن حافظه، عدم ورود تران زیستورها به ناحیه تریود را در حین این فرایندها تضمین میکند.
Keywords:
Authors
پویا کمالی نژاد
دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
محمدرضا قادری
دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
محمد مقدم تبریزی
دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
بهجت فروزنده
دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :