آرمین مقبلی - پژوهشکدهی الکتروسرام و فناوریهای راداری، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر
علی رستم نژادی - پژوهشکدهی الکتروسرام و فناوریهای راداری، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر
میثم دانشور - پژوهشکدهی الکتروسرام و فناوریهای راداری، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر

در این تحقیق، از روش بسط امواج تخت برای محاسبه ساختار نواری و از روش تفاضل محدود در حوزهی زمان برای محاسبه طیف بازتابی بلور فوتونیکی متشکل از حفره های هوا در نظم مثلثی درون بستر مادهای با ثابت دی الکتریک بزرگ =30 ε ( استفاده شده است. دادههای به دست آمده از این دو روش نشان میدهد که همخوانی کاملی بین نتایج ساختار نواری و طیف بازتابی وجود دارد. مشاهده شد که با تغییر شعاع حفرهها، میتوان پهنای گاف نواری را کنترل نمود. گاف نواری برای مد TE در r=0.45a و برای مد TM در r=0.51a بیشینه میشود. همچنین بیشینهی گاف کامل )گاف مشترک دو قبطش( در r=0.48a رخ می دهد. با انتخاب ثابت شبکه m μ a=1 ( nm a=200 ) برای بلور فوتونیکی، گاف نواری کامل در بازه طو موجی 2.6≤λ≤3.5 μm (520≤λ≤690 nm) قرار خواهد گرفت که می توان از آن برای کنتر انتشار امواج الکترومغناطیسی در ناحیه فروسرخ میانی )مرئی( استفاده کرد

روش بسط امواج تخت،روش تفاضل محدود در حوزهیزمان،بلور فوتونیکی دو بعدی،ساختار نواری،گاف کامل،خواص اپتیکی