یک روش نوین در مکانیابی بهینه SVC برای افزایش حداکثر بارپذیری و جلوگیری از فروپاشی ولتاژ
Publish place: 13th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,249
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE13_112
تاریخ نمایه سازی: 27 آبان 1386
Abstract:
حداکثر بارپذیری سیستم ، جلوگیری از ناپایداری استاتیکی و فروپاشی ولتاژ ، حفظ پروفیل آن از مهمترین مباحث در سیستمهای قدرت است. در این مقاله یک روش جدید و موثر برای مکانیابی مناسب جهت نصب Static Var ) SVC (Compensator به منظور جلوگیری از فروپاشی ولتاژ، افزایش پایداری استاتیکی و بارپذیری شبکه قدرت و اصلاح پروفیل ولتاژ شبکه ارایه گردیده است . جایابی یکبار بدون در نظر گرفتن محدودیت روی توان راکتیو تولی دی ژنراتورها و بار دوم با در نظر گرفتن این محدودیت انجام گرفته است . SVC یک بیشینه مقدار از نظر تعداد در یک شبکه نمونه پیدا شده است که ماورای آن افزایش تعداد عنصر نصب شده تاثیری در جلوگیری از ناپایداری ولتاژ ندارد به عبارت دیگر بعد از نص ب تعداد معینی از این عنصر حداکثر بار پذیری سیستم تغییر چندانی نکرده و ناپایداری ولتاژ روی خواهد داد . جهت نیل به اهدف مورد نظر از یک مدل دقیق و مناسب برایSVC در حالت دایم استفاده گردیده سپس مدل ارایه شده برای مطالعات حالت دایم در معادلات پخش بار به همراه عناصر Flexible ) FACTS (AC Transmission System وارد گردیده است. ابتدا با استفاده از الگوریتم ژنتیک محل مناسب برای نصبSVC از
دید تسطیح ولتاژ و حفظ مقدار ولتاژ در محدوده مجاز پیدا شده که نتیجه آن افزایش تسطیح ولتاژ در باسها و حفظ پروفیل ولتاژ است. در مرحله بعدی با استفاده از یک پخش بار تداومی(Continuation Power Flow ) و همزمان با آن با استفاده از الگوریتم ژنتیک تعداد و مکان عناصر نصب شده به منظور دستیابی به بیشینه مقدار بارپذیری سیستم و منحن یهایP-V که ) در واقع مسیر حرکت سیستم قدرت به سوی ناپایداری را نشان می دهند) تاثیرSVC های نصب شده در افزایش حدود پایداری استاتیکی، جلوگیری از فروپاشی ولتاژ و افزایش بار پذیری سیستم نشان داده شده است . علاوه بر آن به عنوان یک شبیه سازی کلی(global ) با استفاده از بهینه سازی چند منظوره و الگوریتم ژنتیک مکان مناسبSVC در حفظ پروفیل ولتاژ ، افزایش بارپذیری سیستم مطالع ه گردیده است . همچنین نشان داده شده است که با نصب مناسب این عنصر در یک سیستم قدرت نه تنها می توان تا حدود زیادی از وقوع فروپاشی ولتاژ جلوگیری کرد بلکه محل آغازین در وقوع فروپاشی را نیز جابجاکرد. مطالعه انجام شده بر روی سیستم نمونه ٥٧ شینهIEEE شکل ( ٦) صورت گرفته است.
Authors
سجاد نجفی روادانق
دانشکده مهندسی برق - (قطب علمی قدرت) - دانشگاه صنعتی امیرکبیر
مهرداد عابدی
دانشکده مهندسی برق - (قطب علمی قدرت) - دانشگاه صنعتی امیرکبیر
سیدحسین حسینیان
دانشکده مهندسی برق - (قطب علمی قدرت) - دانشگاه صنعتی امیرکبیر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :