مریم ترک زاد - دانشجوی کارشناسی مهندسی شیمی، دانشگاه اردکان
مصیب زمان - استاد گروه مهندسی شیمی، دانشگاه اردکان

در این تحقیق، راکتورهای رسوب گذار بخارات شیمیاییCVD (Chemical Vapor Depositionبرای تهیه نانو ساختارهای نیمه رسانا گالیم - آرسنیکGA-As با استفاده از نرم افزار فلوئنت Fluent مدلسازی شده است. رسوب شیمیایی فاز بخارCVD برای رسوب فیلمهای جامد در حالت گازی روی یک سطح جامد دیگر، استفاده میشود. مواد اولیه انتخاب شده برای انجام این فرایند،گازهای تری متیل گالیم و آرسین بوده و یک مکانیسم واکنش دو مرحلهای برای تشکیل گالیم پیشنهاد شده است. نتایج مدلسازی نشان میدهد که سرعت رشد گالیم - آرسنیک به دمای دیسک گردان و سرعت چرخش زاویهای آن و همچنین به میزان آرسنیکاولیه بستگی دارد. توزیع وزن مولکولی نسبتا بالا در مرکز دیسک گردان نشان میدهد که رسوب در مرکز دیسک بیشتر از سایر نقاط است. با توجه به اهمیت اعداد بدون بعد در طراحی راکتور، توزیع اعداد رینولدز و پرانتل در این گزارش نشان داده شد که بیان میکند سرعت و حرارت هر دو عوامل اصلی در شکل گیری رسوب هستند

رسوب گذاری بخارات شیمیایی، راکتور، فلوئنت، گالیم -آرسنیک GA-As/نیمه رسانا