معرفی یک ساختاراصلاح شده برای ترانزیستورنانولوله کربنی ماسفتی
Publish place: 2st National Conference on Development of Civil Engineering, Architecure,Electricity and Mechanical in Iran
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 346
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DCEAEM02_013
تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394
Abstract:
دراین مقاله بااستفاده ازروش تابع گرین غیرتعادلی NEGF ویژگیهای ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله های کربنی CNTFETs مورد بررسی قرارمیگیرد جریان نشتی حاصل ازتونل زنی باند به باند و رفتارشبه دوقطبی ازاثرات شناخته شده برای افزاره های CNTFET می باشند برای به حداقل رساندن این پدیده ها ساختاراصلاح شده ای ارایه میشود که چگالی نواحی سورس و درین این ترانزیستور با پیشروی به سوی کانال ذاتی بطور پلکانی کاهش می یابد ساختارپیشنهادی نسبت به ساختار موجود توان تلفاتی درزمان کلیدزنی کمتری را ازخود نشان میدهد ضمن اینکه سایرمشخصات روشنایی و خاموشی آن تقریبا دست نخورده باقی می ماند لذا این افزاره را میتوان درکاربردهای توان پایین مورداستفاده قرارداد درادامه تاثیر عوامل مختلف برروی رفتارافزاره و مقادیر بهینه آن ها مانند تغییرات طول کانال کایرالیتی ثابت دی الکتریک و تغییرات طول گیت مورد بررسی قرارگرفت
Keywords:
تونل زنی نوار به نوار , نانولوله های کربنی , تابع گرین غیرتعادلی , توان تلفاتی کلیدزنی , تاخیرکلیدزنی ترانزیستور نانولوله کربنی
Authors
مریم میراصانلوزیدی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده فنی مهندسی واحدنور دانشگاه آزاد اسلامی نور ایران
رضا یوسفی
استادیار دانشکده فنی مهندسی واحدنوردانشگاه آزاد اسلامی نور ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :