CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

طراحی و شبیه سازی ضرب کننده آنالوگ چهارربعی مد ولتاژ CMOS در تکنولوژی 053 نانومتر با توان و ولتاژ مصرفی پایین در فرکانس های بالا

عنوان مقاله: طراحی و شبیه سازی ضرب کننده آنالوگ چهارربعی مد ولتاژ CMOS در تکنولوژی 053 نانومتر با توان و ولتاژ مصرفی پایین در فرکانس های بالا
شناسه ملی مقاله: DCEAEM02_077
منتشر شده در دومین کنفرانس سراسری توسعه محوری مهندسی عمران ، معماری ، برق و مکانیک ایران در سال 1394
مشخصات نویسندگان مقاله:

محمد ستوده نیاکرانی - دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد سیرجان، گروه مهندسی برق ، سیرجان، ایران
حلیمه نورمحمدی قاسم آبادی - عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد انار،

خلاصه مقاله:
در این مقاله یک ضرب کننده آنالوگ مد ولتاژ CMOS که می تواند در فرکانس های بالا با توان مصرفی کم و پهنای خطی زیاد کار کند، ارائه شده است. ساختار اولیه ضرب کننده پیشنهادی، شامل سلول های ترکیب کننده با استفاده از ترانزیستوری CMOS بوده و نتایج شبیه سازی به کمک نرم افزار Hspice در تکنولوژی nm 053 انجام گرفته است. توان مصرفی در حدود μw 5 . 42 با ولتاژ تغذیه 1 ولت به دست آمده است. فرکانس قطع مدار در حدود GHZ 2 می باشد. مدار دارای اعوجاج هارمونیک کلی (THD) حدود % 1 بوده و در طرح پیشنهادی خطای خطی بسیار کم است. همچنین ضرب کننده پیشنهادی قابلیت عملکرد به عنوان دوبرابرکننده فرکانس را نیز دارد.

کلمات کلیدی:
توان پایین ، ترکیب کننده، دوبرابرکننده فرکانس، ضرب کننده

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/432654/