تصحیح ناپایداری در ترانزیستورهای اثر میدانی حساس به یون هیدروژن از طریق بهینهسازی بار الکتریکی ذخیره شده در نیمرسانا
Publish place: 2st National Conference on Development of Civil Engineering, Architecure,Electricity and Mechanical in Iran
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 490
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DCEAEM02_086
تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394
Abstract:
مدل فیزیکی برای ناپایداری درترانزیستورهای اثرمیدانی انتخاب کننده یون حساس به )pH-ISFET( Ph ارایه شده است در pH-ISFETناپایداری درنقطه کار که عموما به دریفت موسوم است بصورت تغییرات یکسویه و نسبتا کندی درولتاژ استانه ت رانزیستور درغیاب نوسانات ph ظاهر میشود مدل ارایه شده بصورت کمی رفتار دریفت را درAl2O با عایق ازنوع اکسیدالومینیوم Al2O3 توضیح میدهد برای راستی آزمایی این مدل داد های اندازه گیری شده دریفت برای یک pH-ISFET که درآن عایق حساس به PH ازجنس Al2O3 است باداده های محاسبه شده براساس رابطه بدست آمده برای دریفت مقایسه شده اند برازش میان داده های اندازه گیری شده و داده های مدل با ضریب های همبستگی بزرگتر از0//99 مشخص میشود باتوجه به دقت کمی بالای مدل پیشنهادی میتوان بااستفاده ازرابطهدریفت راهکارهایی برای تصحیح ناپایداری درpH-ISFET پیشنهاد کرد بطور مشخص با کنترل انواع بارالکریکی ذخیره شده درنیمرسانا که دررابطه دریفت بیان شده اند میتوان دریفت را ازطریق اعمال بایاس مناسب به قطعه و یا استفاده ازکاشت () درناحیه کانال برای تنظیم ولتاژ استانه کاهش داد
Keywords:
Authors
محمدنبی زند
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحدساوه گروه مهندسی برق ساوه ایران
شهریار جاماسب
نویسنده مسئول استادیار دانشگاه صنعتی همدان دانشکده مهندسی پزشکی همدان ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :