تصحیح ناپایداری در ترانزیستورهای اثر میدانی حساس به یون هیدروژن از طریق بهینهسازی بار الکتریکی ذخیره شده در نیمرسانا

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 490

This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

DCEAEM02_086

تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394

Abstract:

مدل فیزیکی برای ناپایداری درترانزیستورهای اثرمیدانی انتخاب کننده یون حساس به )pH-ISFET( Ph ارایه شده است در pH-ISFETناپایداری درنقطه کار که عموما به دریفت موسوم است بصورت تغییرات یکسویه و نسبتا کندی درولتاژ استانه ت رانزیستور درغیاب نوسانات ph ظاهر میشود مدل ارایه شده بصورت کمی رفتار دریفت را درAl2O با عایق ازنوع اکسیدالومینیوم Al2O3 توضیح میدهد برای راستی آزمایی این مدل داد های اندازه گیری شده دریفت برای یک pH-ISFET که درآن عایق حساس به PH ازجنس Al2O3 است باداده های محاسبه شده براساس رابطه بدست آمده برای دریفت مقایسه شده اند برازش میان داده های اندازه گیری شده و داده های مدل با ضریب های همبستگی بزرگتر از0//99 مشخص میشود باتوجه به دقت کمی بالای مدل پیشنهادی میتوان بااستفاده ازرابطهدریفت راهکارهایی برای تصحیح ناپایداری درpH-ISFET پیشنهاد کرد بطور مشخص با کنترل انواع بارالکریکی ذخیره شده درنیمرسانا که دررابطه دریفت بیان شده اند میتوان دریفت را ازطریق اعمال بایاس مناسب به قطعه و یا استفاده ازکاشت () درناحیه کانال برای تنظیم ولتاژ استانه کاهش داد

Keywords:

ترانزیستوراثرمیدانی حساس به یون هیدروژ« , دریفت , ناپایداری , بازبینی پیوسته

Authors

محمدنبی زند

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحدساوه گروه مهندسی برق ساوه ایران

شهریار جاماسب

نویسنده مسئول استادیار دانشگاه صنعتی همدان دانشکده مهندسی پزشکی همدان ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Bergveld, P., 1970. Development of an Ion-sensitive Solid State Device ...
  • Yee, S.S., Afromowitz, M.A., 1978. Ion-sensitive Implantable Electrodes Fabricated by ...
  • Johnston A., 1988. Trends in Biosensor Research and Development, Proceedings ...
  • Madou, M.J., Morrison, S.R., 1989, Chemical Sensing with Solid State ...
  • Bergveld, P., Sibbald, A., 1988, Compreh ensive Analytical Chemistry , ...
  • Matsuo, T., Esashi, M., 1981. Methods of ISFET Fabrication. Sensors ...
  • Schepel, S. J., DeRooij, N. F., Koning, G., Oeseburg, B., ...
  • Bergveld, P., 1985, Implantable Sensors for Closed-loop Prosthetic Systems , ...
  • Jamasb, S., Collins, S.D., Smith, R.L, 1997. A Physically-b ased ...
  • Jamasb, S., 1998, Ch aracterization, Modeling, and Correction of Threshold ...
  • Lauks, I.R. and Zemel, J.N. 1979. The SisN/Si Ion-Sensitive S ...
  • Kakalios, J., Street, R.A., Jackson, W.B. 1 987. S tretched ...
  • نمایش کامل مراجع