طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند با عددنویز پایین وضریب شایستگی بالا

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 650

This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

DCEAEM02_091

تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394

Abstract:

دراین مقاله پروسه کامل تحلیل طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز فراپهن باند باجزئیات کامل و دقیق به همراه مسائل و چالشهای مهم پیرامون فراهم ساختن شرایط برای تحقق پوشش کامل باندفراپهن ازفرکانس 3/1تا10/6 گیگاهرتز کاهش عدد نویز پایین بالا بردن ضریب شایستگی و .... ارایه شد نواوری اصلی این پروژه درپیاده سازی صحیح تکنیک تنظیم ضربدری به منظور افزایش پهنای باند و نیز تکنیک استفاده مجدد جریان برای کاهش توان مصرفی مدار با بهره گیری ازحداقل تعدادترانزیستور و چیدمان درست المان ها و انتخاب مقادیر آنها درجهت تحقق اهداف کلی پروژه و معرفی طرحی به مراتب بهتر ازنقطه نظر شاخصهای عملکرد آن درمقایسه بادیگر ساختارهای ارایه شده درسالهای گذشته می باشد به نحوی که تاحدود زیادی ازنظر شاخصهای مهم سنجش عملکرد مدار ازجمله پهنای باند توان مصرفی عدد نویز و درراس آنها ضریب شایستگی FOM مداربهینه ترین حالت را شاهدهستیم پهنای باند بسیاربالا و 7/5 گیگاهرتزی تقویت کننده کم نویز پیشنهادی تطبیق امپدانس مناسب درورودی و خروجی آن بهطوریکه پارامترهای S11,S22 به ترتیب پایین تراز-10/489و-14/630 دسی بل بهره ولتاژ و بهره توان نسبتابالا به ترتیب برابر با 20/501و13/311 دسی بل عدد نویز خوب درمحدود 2/149-2/521 دسی بل خطسانی مطلوب درمحدوده فرکانس کاری مدار بطوریکه شاخص نقطه تقاطع مرتبه سوم IIP3 برابر با dBM0 است ازنقاط قوت برجسته و قابل توجه طرح پیشنهادی می باشد به طوریکه این موارد به ضریب شایستگی FOM برابر با +44/25 دسی بل منجر شده است که بسیارقابل توجه می باشد

Keywords:

تقویت کننده کم نویز LNA , فراپهن باندUWB , تکنیک استفاده مجدد جریان , عددنویزNF , ضریب شایستگی FOM

Authors

محمدسجاد احمدی

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه

غلامرضا کریمی

دانشیاروعضو هیئت علمی دانشگاه رازی کرمانشاه

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • um 3.1-10.6 GHz CMOSUWB LNA with 1 1.4 = 0.4 ...
  • T. H. Lee, 2001, The design of CMOS Rad io-Frequency ...
  • B. Razavi, Edition 2001, Desing of Analog CMOS Intagrated Circuits, ...
  • A. Abidi .November 1986, "High Frequency Noise Measurement on FETs ...
  • Gonzalez G, 1997, Microwave transistor amplifiers: analysis and design (Second ...
  • Ch. Weyers, P. Mayr, J. W. Kunze, U. Langmann, , ...
  • M. Khanpour, K. W. Tang, P. Garcia, and S. P. ...
  • C. F. Liao and S. I. Liu, Sept. 2005 ":A ...
  • K. Chen, J. Lu, B. Chen, and S. Liu, Mar. ...
  • A. I. A. Galala, R. Pokharel, H. Kanaya and K. ...
  • A. Bevilacqua and A. M. Niknejad, Dec. 2004 _ ultrawideband ...
  • Qiuzhen Wan, Chunhua Wang, Dec. 2011 "Design of 3.1-10.6GHz ultra-wideband ...
  • H.-Y. Yang, Y.-S. Lin and C.-C. Chen, 10thApril 2008 _ ...
  • T.Kihara, T.Mastuoka, and K.Taniguchi, 2008 _ 1.0 V, 2.5 mV, ...
  • Y.Gao, Y.Zheng and Ban-Leong Oo, 2007 _ 0.18-um CMOS UWB ...
  • نمایش کامل مراجع