امیر رحیمیان - دانشگاه آزاد اسلامی واحد قشم
نورالدین پورعلی - دانشگاه شهید بهشتی تهران، دانشکده فیزیک

ترابرد الکترونی اسپین وابسته ترانزیستور الکترون منفرد با الکترودهای فرومغناطیس و حوزه نامغناطیسی بصورت تئوری با تونل زنی ترتیبی در حد واهلش اسپین آرام مورد بررسی قرار می گیرد. برای این کار از روش معادله جامع استفاده می گردد. مقاومت مغناطیسی تونلی، قطبش مغناطیسی حوزه، قطبش اسپینی جریان ایجاد شده به عنوان تابعی از ولتاژ بایاس و ولتاژ گیت بیان می گردند.

ترانزیستور، تک - الکترون، فرومغناطیس، حوزه، اسپین- واهلش