طراحی مالتی پلکسر با استفاده از ترانزیستورهای اثرمیدان نانو لوله کربنی با قابلیت توان مصرفی پایین و پاسخ فرکانسی بالا
Publish place: The first national conference on electrical engineering of Islamic Azad University, Langarud branch
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 683
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEES01_046
تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1394
Abstract:
در این مقاله، یک مالتی پلکسر با توان پایین و پاسخ فرکانسی بالا ارائه شده است که در آن از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی بجای ترانزیستور CMOSاستفاده شده است. مدار پیشنهادی نسبت به مدارهای مشابه خود دارای توان مصرفی پایین و پاسخ فرکانسی بالا می باشد این مدار با تکنولوژی 320 نانو متر و با منبع تغذیه 0.9 ولت شبیه سازی شده توان مصرفی 48.9 میکرووات می باشد.
Keywords:
Authors
سمیرا دمی زاده
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس
فرشاد بابازاده
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی(ره) شهرری، دانشکده مهندسی برق،گروه الکترونیک، تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :