بررسی عملکرد نانو ذرات ترانزیستور های اثر میدانی با فسفر سیاه
Publish place: The first national conference on electrical engineering of Islamic Azad University, Langarud branch
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,098
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEES01_184
تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1394
Abstract:
کریستال های دوبعدی، بعنوان موادی پا به عرصه گذاشته اند که می توانند فناوری های الکترونیکی آتی را تحت تاثیر قرار دهند و به این علت تشخیص آزمایشی و توصیف مواد دوبعدی کاربردی جدید، کاری ارزشمند است. در این مقاله به بررسی ساخت ترانزیستورهای اثر – میدانی(FET)بر اساس کریستال های فسفر سیاه چندلایه ای - با ضخامت چند نانومتر-پرداخته می شود.از عملکرد ترانزیستور برای نمونه های باریکتر از 7.5 نانومتر در دمای اتاق مشاهده می شود که در انها جریان مدولاسیون درین درحد 10^5 می باشد و جریان اشباع در مشخصه I-V بهتر شده است. قابلیت حرکت حامل بار، وابسته به ضخامت لایه است و بالاترین مقدارش 1000cm^2/ V. S می باشد که به ازای ضخامت 10 نانومتری حاصل میشود. بررسی ها نشان میدهد کریستالهای نازک فسفر سیاه بعنوان موادی دو بعدی برای کاربردهای در وسایل نانوالکترونیک، توانایی ویژه ای دارند
Keywords:
Authors
فرحناز ذاکریان
گروه برق، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی ،یزد
ناصر سیاهی
گروه برق، واحد مهریز، دانشگاه آزاد اسلامی،مهریز، یزد، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :