تحلیل سلول خورشیدی سه پیوندی GaInP/GaAs/Ge و بهینه سازی راندمان آن
Publish place: The first national conference on electrical engineering of Islamic Azad University, Langarud branch
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 526
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEES01_208
تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1394
Abstract:
در این مقاله راندمان سلول خورشیدی سه پیوندی GaInP/GaAs/Ge به روش مدلسازی عددی newton و gummel مورد بررسی قرار گرفته است. این سه سلول بدلیل پوشش کردن طیف انرژی نور خورشید و همچنین عدم همپوشانی طیف جذبی همدیگر و نیز تطبیق شبکه ای دارای راندمان اولیه بالایی 29/3% است. با اضافه کردن لایه BSF در زیر پایه سلول، راندمان به 30/7 افزایش می یابد. بدلیل آنکه جریان تولیدی سلول با طول پخش حامل نسبت مستقیم دارد، با افزایش پارامتر ضخامت پیوند، راندمان سلول تا 30/92% افزایش داده شد. افزایش ضخامت توسط چالشی بنام اثر سایه )برروی سلول های پایینتر( محدود میشود. اثر سایه برای پایین ترین سلول )ژرمانیم( معنی نداشتهبنابراین ضخامت ژرمانیم نزدیک به 99 درصد کل سلول را تشکیل میدهد
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :