بررسی و شبیه سازی خواص نوری سیلیسن
Publish place: The first national conference on electrical engineering of Islamic Azad University, Langarud branch
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 599
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEES01_222
تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1394
Abstract:
در این مقاله ویژگی های نوری سیلیسن دو بعدی بر اساس تئوری تابع چگالی مورد بررسی قرار داده شد. نتایج در مورد محاسبات مشخصه پاسخ نوری نشان می دهند که ان ها به شدت به جهت مسیر قطبیت نور بستگی دارند. بنابراین طیف های جذب نوری برای نور قطبی شده به صورت موازی و عمود بر سطح سیلیسن متفاوت می باشند.طیف های جذب نوری سیلیسن دارای دو پیک عمده می باشند : 1)پیک تند در 1.74ev را بواسطه انتقال از حالات π به 2π) پیک گسترده در حوزه ev10-4 (بواسطه تحریک حالات δ تا باندهای هدایت) تاثیر میدان الکتریکی ایستاتیک متقاطع خارجی را روی ویژگی های نوری سیلیسن مورد بررسی گرفت .ابتدا با میدان الکتریکی مشاهده شد که شکاف باند را می توان در سیلیسن در سطح فرمی با شکستن تقارن معکوس افزایش داد. تغییرات قابل ملاحظه ای را در جذب نوری بواسطه باز شدن شکاف باند مشاهده شد
Keywords:
Authors
فرحناز ذاکریان
گروه برق،واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی ،ایران
حمزه آزمون
گروه برق،واحد مهریز، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :