محمدجواد فهیمی - دانشگاه تربیت مدرس، دانشکده برق و کامپیوتر، تهران
داود فتحی - دانشگاه تربیت مدرس، دانشکده برق و کامپیوتر، تهران

در این مقاله ما اثرات دمایی بر روی نرخ انتقال الکترون از سه نقطهکوانتومی CdSe, CdS, CdTe به سه اکسیدفلز 2, SnO2, SnO2TiO در حضور چهار لایه سدکننده ZnS ، ZnO ، 2TiO و 3O2Al در یکساختار سلول خورشیدی حساسشده به نقطهکوانتومی (QDSSC) متخلخل با استفاده از تئوری مارکوس شبیه سازی می کنیم. لایه سدکننده را بصورت قرارگرفتن بر روی نقطهکوانتومی و اکسیدفلز در نظرگرفتیم و نقطهکوانتومی-لایه سدکننده را بصورت یک کره با اپسیلون جدید و شعاع جدید تقریب زدیم. اثر لایه سدکننده را در انرژیهای کلومبی، بار و الکترونیکی که منجر به اصلاح لبه های نوار رسانش نقاطکوانتومی و انرژی آزاد سیستم و در نهایت معادله مارکوس میشود وارد میکنیم. نتایج را برای محدوده 054 درجه کلوین بدست آوردیم که نشان میدهد افزایش دما برای ترکیبات و با لایه - دمایی 044 سدکنندههای مختلف میتواند روند کاهشی، افزایشی و یا کاهشی-افزایش بدهد. که برای ترکیب ZnO-CdTe به ترتیب لایه سدکنندههای ZnO ، ZnS ، 2TiO ، 3O2Al و برای بقیه ترکیبات به ترتیب ZnO ، 2TiO ، 3O2Al ، ZnS بیشترین نرخ را به خود اختصاص دادند. برای صحت روش شبیه سازی یک نمونه از کار ساخت دیگران در زمینه لایه سدکننده نیز بازیابی شد که با خطای 3 درصد با روش ما برابر شد. نتایج بهدستآمده در این تحقیق میتواند در تفسیر بهتر مشاهدات تجربی و نیز در طراحی و گزینش ترکیبات مناسب MO-QD در حضور لایه سدکننده در QDSSCs با در نظر گرفتن اثرات دمایی بهکار گرفته شود.

نرخ انتقال الکترون، دما، نقطه کوانتومی، اکسیدفلز