نوشین سادات مهدیان - گروه مهندسی برق- الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی، تهران، ایران
علیرضا کاشانی نیا - گروه مهندسی برق- الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی، تهران، ایران

در این مقاله ساختار و عملکرد سلول های خورشیدی مبتنی بر InGaP/GaAs/Ge را بررسی و مورد تحلیل قرار دادیم. نشان دادیم که سلول خورشیدی تک پیوندی مبتنی بر گالیم آرسناید بازدهی تبدیل برابر با 21/29% دارد، که با اضافه کردن پوشش ضد انعکاس تک لایه توانستیم بازده را به 35/68% رساندیم. سپس نشان دادیم که با اضافه نمودن پوشش ضد انعکاس ARC)Anti Reflect Coating) پارامترهای سلول تحت تأثیر قرار گرفت. سپس دو پوشش ضد انعکاس که بیشترین بازده را نسبت به دو حالت قبلی یعنی با یک پوشش ضد انعکاس و بدون پوشش ضد انعکاس داشت به ساختار اضافه کردیم و در این حالت بازده به 38/88% رساندیم.

بازده پوشش، ضد انعکاس، سلول خورشیدی، گالیم آرسناید