ارائه یک ساختار جدید به منظور بهبود اثرخودگرمایی ترانزیستور اثرمیدانی (FIN FET)
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 482
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NEEREC08_047
تاریخ نمایه سازی: 28 اسفند 1394
Abstract:
در این مقاله با توجه به تحقیقات صورت پذیرفته در این حیطه توسط دانشمندان مختلف طی سال های اخیر و مطالعه بر روی زیرساخت های موجود یک ساختار جدید برای ترانزیستورهای اثرمیدان Fin FET به منظور کاهش آثار خودگرمایی ارائه شده است. شایان ذکر است ایده اصلی این ساختار در مدور کردن لبه های فین در نزدیکی نواحی سورس و درین در این ترانزیستورها به منظور کنترل اثر خودگرمایی با کاهش مقاومت حرارتی فین ها می باشد. لذا این ساختار جدید، ترانزیستور با لبه های مدور (CV-Fin FET) نامیده شده است. نتیجه شبیه سازی انجام شده نشان می دهد که در ساختار پیشنهاد شده می توان ماکزیمم دمای ترانزیستور را به نحو مطلوبی بهبود بخشید.
Keywords:
Authors
جواد کرمدل
گروه مهندسی برق- الکترونیک، واحد تهران جنوب دانشگاه آزاد اسلامی تهران، جنوب، ایران
بهزاد کریمی
مسئول برنامه ریزی شرکت مپنا، دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق- الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی تهران جنوب، ایران
آیدین احمدی
گروه مهندسی برق- الکترونیک، واحد تهران جنوب دانشگاه آزاد اسلامی تهران، جنوب، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :