طراحی تقویت کننده عملیاتی بهینه با استفاده از تکنولوژی 32 نانومتر سی ماس درمداراهای فیدبک

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 512

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE07_085

تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395

Abstract:

همانطور که در مدارهای منطقی ، گیت های NAND و NOR سنگ بنای تمام مدارهای دیجیتال هستند، می توان آپ امپ ها را سنگ بنای اکثر مدارهای آنالوگ دانست. در این تحقیق ، یک تقویت کننده عملیاتی با استفاده از پروسه 32nm CMOS ، ارائه و شبیه سازی می شود. این تقویت کننده با استفاده از منبع تغذیه 0.9 ولت کار می کند و مناسب جهت استفاده در کاربردهای کم ولتاژ است. این آپ امپ از پایداری خوبی برخوردار است و دارای حاشیه فاز 67 درجه و فرکانس بهره واحد 11 گیگا هرتز می باشد. زمان نشست در این آپ امپ در حدود 80 پیکو ثانیه است. همچنین نویز در حدود 25u به دست می آید.

Keywords:

Authors

حامد محمدیان

پژوهشکده تکنولوژی تولید جهاد دانشگاهی (ACECR)

مهوش زری میدانی

پژوهشکده تکنولوژی تولید جهاد دانشگاهی (ACECR)

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • . Hardik Patel , Rajnikant Soni , " Low Voltage, ...
  • . Ali Dadashi , Shamin Sadrafshari , Khayrollah Hadidi, Abdollah ...
  • . Savisha A. P. Mahalingam, Md. Mamun, Labonnah F. Rahman ...
  • . Tim J. Sobering andlan _ Sobering. "A Starting Point ...
  • G. Nicollini, P. Conffalnoieri, and D. Senderowicz, "A fully differential ...
  • E. Sackinger and W. Guggenbuhl, "A high - swing high ...
  • R. G. Eschauizer, L. P. T. Kerklaan, and J. H. ...
  • نمایش کامل مراجع