طراحی سلول حافظه ایستای (SRAM) ترانزیستوری کم توان و مقاوم در برابر فرآیند ساخت
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,222
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE07_300
تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395
Abstract:
سلول حافظه SRAM شش ترانزیستوری متداول در ناحیه زیرآستانه عملکرد مناسبی ندارد. برای کاهش توان مصرفی عملکرد حافظه در ناحیه زیرآستانه بسیار ضروری است. در این مقاله یک سلول حافظه SRAM ترانزیستوری با قابلیت کار در ناحیه زیر آستانه و مقاومت بهینه در برابر تغییرات فرآیند ساخت ارائه می شود. با طراحی سلول ارائه شده و سلول شش ترانزیستوری متداول و یک سلول دیگر از مقالات اخیر برای مقایسه و با استفاده از تکنولوژی 90 نانومتر صنعتی و انجام شبیه سازی با HSPICE ملاحظه می شود که طرح ارائه شده نسبت به سلول شش ترانزیستور به میزان 52.94 % پایداری خواندن را بهبود داده است.
Keywords:
Authors
ابوالفضل دهقان توران پشتی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد قزوین
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :