مینا مهاجری - دانشجو کارشناسی ارشد، دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه شهید بهشتی تهران،ایران
علیرضا حسن زاده - استادیار دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه شهید بهشتی تهران، ایران

از آنجا که یکی از مسائل مطرح در ترانزیستور های TFET جریان کم در حالت روشن می باشد،در این مقاله با قرار دان یک لایه با چگالی بالا در کانال در نزدیکی ناحیه سورس، عرض ناحیه تخلیه کاهش یافته و موجب بهبود جریان حالت روشنی و شیب زیر آستانه می شود. به طوریکه با این کار جریان حالت روشنی حدود 102 بهبود می یابد. علاوه براین، اثر تغییر پارامتر ها از قبیل تغییر عرض لایه چگالی بالا، دوپینگ نواحی سورس و درین بر جریان حالت روشنی ، و همچنین تاثیر دما بر عملکرد ترانزیستور بررسی شده است. علاوه بر این با تغییر نوع دوپینگ ناحیه درین از نوع یکنواخت به نوع گوسین، تونل زنی کاهش می یابد.

ترانزیستور تونلی اثر میدان (DG-TFET) ، جریان حالت روشنی (Ion) ، دوپینگ گوسین (DG) ، لایه با چگالی بالا (HDL)