بررسی اثر زمان واهلش بین ترازی بر احتمال اشغال الکترون لایه ویتینگ، تراز پایه و تراز برانگیخته در لیزرهای نقطه کوانتومی خودسامانی InGaAs/GaAs
عنوان مقاله: بررسی اثر زمان واهلش بین ترازی بر احتمال اشغال الکترون لایه ویتینگ، تراز پایه و تراز برانگیخته در لیزرهای نقطه کوانتومی خودسامانی InGaAs/GaAs
شناسه ملی مقاله: LPPS01_039
منتشر شده در کنفرانس ملی فناوریهای نوین نور، فتونیک و سیستمهای فتوولتاییک در سال 1394
شناسه ملی مقاله: LPPS01_039
منتشر شده در کنفرانس ملی فناوریهای نوین نور، فتونیک و سیستمهای فتوولتاییک در سال 1394
مشخصات نویسندگان مقاله:
میثم کشیری - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علی آباد کتول گروه فوتونیک
صالحه حکیمی فر - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علی آباد کتول گروه فوتونیک
خلاصه مقاله:
میثم کشیری - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علی آباد کتول گروه فوتونیک
صالحه حکیمی فر - دانشگاه آزاد اسلامی واحد علی آباد کتول گروه فوتونیک
با حل معادلات آهنگ لیزر نقطه کوانتومیInGaAs/GaAs به روش رانگ-کوتا مربته چهارم و تحلیل آن اثر طول عمر واهلش بین ترازی را بر احتمال اشغال الکترون لایه ویتینگ WL تراز پایه و تراز برانگیخته مورد بررسی قرار میگیرد.
کلمات کلیدی: معادلات آهنگ لیزر – نقطه کوانتومی – لایه ویتینگ – تراز برانگیخته
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/460913/