سید سام طریقی نژاد - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

در این مقاله یک ساختار جدید از تقویت کننده کم نویز (LNA) پهن باند با ترکیب هم زمان روش های استفاده مجدد از جریان و افزایش رسانایی برای کاربرد در فرکانس 2 تا 4 گیگا هرتز ارائه شده است. با اشتراک گذاشتن یک مسیر جریان بایاس در روش استفاده مجدد از جریان، میتوانیم توان مصرفی تقویت کننده دو طبقه را که به صورت کسکود به یکدیگر متصل شده است را کاهش دهیم. همچنین با قرار دادن خازن های زوج ضربدری در روش افرایش رسانایی، وابستگی عدد نویز و تطبیق امپدانس ورودی از بین می رود. در طبقه ورودی مدار پیشنهادی از ساختار گیت مشترک استفاده شده است که تطبیق ورودی پهن باند را در اختیار قرار می دهد. همچنین طبقه دوم نیز یک تقویت کننده سورس مشترک است که باعث پهن باند شدن می شود. روش های به کار گرفته شده در این مقاله باعث پهن باند شدن تقویت کننده، بهبود عدد نویز وکاهش توان مصرفی می شود. تقویت کننده کم نویز پهن باند در تکنولوژی TSMC 8110 μm CMOS در نرم افزار Cadence شبیه سازی شده است. مقادیر S11 و S22 مدار به ترتیب کمتر از 12.4dB- و11dB- به دست آمده است. حداکثر بهره توان به دست آمده برابر دست آمده است. حداکثر بهره توان به دست آمده برابر 14.6dB است. همچنین عدد نویز در کل باند بین 2.7 تا 3.1 دسی بل می باشد. هسته LNA مقدار 2.6mA جریان را از منبع ولتاژ 1.8V می کشد.

استفاده مجدد از جریان، افزایش-gm، تقویت کننده کم نویز پهن باند، خازن های زوج ضربدری