بررسی و تعیین نقش عایق سطح بندی شده و نامتقارن ترکیبی بین گیت و بدنه بر توان نشتی در ترانزیستورهای MOS کانال کوتاه
عنوان مقاله: بررسی و تعیین نقش عایق سطح بندی شده و نامتقارن ترکیبی بین گیت و بدنه بر توان نشتی در ترانزیستورهای MOS کانال کوتاه
شناسه ملی مقاله: CITCONF03_323
منتشر شده در سومین کنفرانس بین المللی پژوهشهای کاربردی در مهندسی کامپیوتر و فن آوری اطلاعات در سال 1394
شناسه ملی مقاله: CITCONF03_323
منتشر شده در سومین کنفرانس بین المللی پژوهشهای کاربردی در مهندسی کامپیوتر و فن آوری اطلاعات در سال 1394
مشخصات نویسندگان مقاله:
شاپور گلبهار حقیقی - استادیار دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه شیراز واستاد مدعو دانشگاه آزاد اسلامی واحد سپیدان
خداداد خالق پناه - دانشجوی کاشناسی ارشد رشته مهندسی برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد سپیدان
خلاصه مقاله:
شاپور گلبهار حقیقی - استادیار دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه شیراز واستاد مدعو دانشگاه آزاد اسلامی واحد سپیدان
خداداد خالق پناه - دانشجوی کاشناسی ارشد رشته مهندسی برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد سپیدان
در این مقاله منابع توان نشتی شامل جریانهای نشتی بررسی و اثر مواد دی الکتریک روی انها شبیه سازی گردیده است و در این راستا روشهای کاهش توان نشتی گیت با استفاده از عایق و ماد دی الکتریک بصورت متقارن بشک استک و پشته همچنین بصورت سطح بندی شد ه و غیر قابل متقارن تحلیل و مقایسه شدهاست استفاده از عایق ترکیبی بصورت سطح بندی و نامتقارن منجر به بهبود عملکرد دیوایس از نظر کاهش توان نشتی گردیدهاست.
کلمات کلیدی: لاتین Sio2 ، GIDL ، HSPICE ، NMOS ، MOS توان نشتی؛ جریان نشتی
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/466895/