ارائه مداری کم توان برای واحد تولیدکننده بیت نقلی درتمام جمع کننده سه ارزشی بااستفاده از تکنولوژی نانو لوله های کربنی

منطقه چند ارزشی به علت مزایایی از قبیل کاهش خطوط ارتباطی، کاهش توان مصرفی و کاهش مساحت تراشه نسبت به منطقه دوازشی، مورد توجه زیادی واقع شده است در حال حاضر تکنولوژی ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی باقابلیت تنظیم آسان ولتاژ آستانه در کنار مزایای منحصر به فرد دیگر از قبیل مصرف توانکم جریان خاموشی پایین و انتقال جریان به صورت بالستیک انتخاب مناسبی برای پیاده سازی مدارهای چند ارزشی می باشد در اینمقاله ما بااستفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی مداری باساختاری ساده و مصرف توان پایین را برای واحد تولید کننده بیت نقلی در تمام جمع کننده سه ارزشی معرفی کرده ایم. براساس نتایج شبیهسازی مدار پیشنهادی جدید علاوه بر اینکه باعث کاهش بیش از 50% توان مصرف نسبت به طرح ارائه شده اخیر شده تخیر مدار را نیز بهبود داده است.

Keywords:

ترانزیستوراثرمیدانی نانو لوله کربنی , منطق چندازشی , منطقه سه ارزشی , تمام جمع کنند سه ارزشی