بررسی رفتار دینامیکی تقویت کننده های نوری نیمه هادی مبتنی بر نقاط کوانتومی

نقاط کوانتومی، نانوساختارهایی خودسازمان یافته از نیمه هادی ها به روش رشد رونشستی هستند که در ناحیه فعال تقویت کننده نوری تشکیل می شوند. این نقاط هرمی ایجاد شده، خصوصیات منحصربفردی از خود نشان می دهند که به دلیل تحدید سه بعدی حامل ها و کرنش نیمه هادی رشد یافته در ناحیه فعال می باشد. در این مقاله، شبیه سازی خصوصیات دینامیکی تقویت کننده نوری نیمه هادی مبتنی بر نقاط کوانتومی (QD-SOA)، از جمله سیگنال خروجی تقویت شده، بهره، احتمال اشغال ترازهای انرﮊی توسط حامل ها، زمان بازیافت و فاز بر اساس تحلیل معادلات نرخ به روش تفاضل محدود در حوزه زمانی برای یک مدل تئوریکی نقاط کوانتومی از جنس InGaAs/GaAs، در طول موج mμ1.55 انجام شده است. معادلات نرخ به کار رفته برای حامل های الکترون و حفره در باند هدایت و ظرفیت یکسان در نظر گرفته شده است. نتایج به دست آمده، بیانگر افزایش میزان تقویت سیگنال خروجی و نیز تسریع زمان بازیافت بهره در ساختار نقاط کوانتومی هستند.

Keywords:

تقویت کننده نوری نیمه هادی مبتنی بر نقاط کوانتومی , روش تفاضل محدود در حوزه زمانی , معادلات نرخ