سمیرا سالاریان - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق، دانشگاه آزاد واحد بجنورد
مسعود هوشمند کفاشیان - عضو هیات علمی دانشکده فنی، دانشگاه پیام نور مشهد

ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی(NBTI) یکی از دغدغه های اصلی قابلیت اطمینان برای افزاره های امروزی و آینده است که باعث تخریب عملکرد در طول زمان می شود. در این مقاله به بررسی اثر NBTI در سلول حافظه SRAM براساس ترانزیستور FinFET پرداخته شده و اثر NBTI بر روی Hold SNM و Read SNM بررسی شده است. نتایج شبیه سازی با استفاده از نرم افزار HSPICE گره تکنولوژی 14nm در دمای 125 درجه سانتی گراد و منبع تغذیه 0.8 ولت برای فاصله زمان های مختلف انجام شده است. نتایج نشان می دهد که پدیده ی ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی مقادیر SNM نگهداری و SNM خواندن را تحت تأثیر خود قرار می دهد و براساس اندازه گیری های انجام شده در این پژوهش، در بدترین شرایط میزان SNM نگهداری و SNM خواندن در نتیجه NBTI در فاصله زمانی (T=10(6 ثانیه ، به ترتیب15.32 % و34.93 % تنزل پیدا کرده و سلول ناپایدار شده است.

پایداری سلول (SNM)، ترانزیستور FinFET، حافظه SRAM، قابلیت اطمینان، ناپایداری ناشی از دما و بایاس منفی(NBTI)