بررسی بی ثباتی دمایی ناشی از بایاس در فرآیندهای ساخت نانومتری
Publish place: 18th Conference on Electrical Engineering OF Iranian Student
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 449
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE18_132
تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395
Abstract:
کوچک-مقیاس شدن شتابان تکنولوژی، بویژه در گره های تکنولوژی کوچکتر از 65nm، چالشهای قابلیت اطمینان و حفظ سطح کارایی مطلوب در طول عمر قطعات تجاری را تشدید نموده است. مهمترین دغدغه قابلیت اطمینان در فرآیندهای نانومتری نوین، بی ثباتی دمایی ناشی از بایاس (BTI) است. این مقاله به بررسی این مشکل می پردازد و در فرآیندهای نانومتری با ترانزیستورهای سنتی (bulk CMOS)، ترانزیستورهای high-k/metal-gate و نیز فرآیندهای FinFET به تحلیل آن می پردازد و در نهایت روشهای مقابله با این پدیده مطرح می شوند.
Keywords:
Authors
مسعود هوشمند کفاشیان
دانشگاه پیام نور مشهد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :