بررسی بی ثباتی دمایی ناشی از بایاس در فرآیندهای ساخت نانومتری

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 449

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE18_132

تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395

Abstract:

کوچک-مقیاس شدن شتابان تکنولوژی، بویژه در گره های تکنولوژی کوچکتر از 65nm، چالشهای قابلیت اطمینان و حفظ سطح کارایی مطلوب در طول عمر قطعات تجاری را تشدید نموده است. مهمترین دغدغه قابلیت اطمینان در فرآیندهای نانومتری نوین، بی ثباتی دمایی ناشی از بایاس (BTI) است. این مقاله به بررسی این مشکل می پردازد و در فرآیندهای نانومتری با ترانزیستورهای سنتی (bulk CMOS)، ترانزیستورهای high-k/metal-gate و نیز فرآیندهای FinFET به تحلیل آن می پردازد و در نهایت روشهای مقابله با این پدیده مطرح می شوند.

Keywords:

بی ثباتی دمایی ناشی از بایاس , فرآیندهای نانو متری , قابلیت اطمینان

Authors

مسعود هوشمند کفاشیان

دانشگاه پیام نور مشهد

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • هجد همین کنفر ا نس ملی- د ا نشجو یی ...
  • _ _ _ [22] _ _ _ رق ایران pp. ...
  • control _ performance degradation, " in Design, xectorرکر مشهد Automation ...
  • International Technology Roadmap for Semiconductor (TRS), _ :/public/itrs .net/> ...
  • v. Huard, M. Denais, and C. Parthasarathy, "NBTI degradation: _ ...
  • J. F. Z. M. Duan, Z. Ji, W. D. Zhang, ...
  • D. K. Schroder and J. A. Babcock, "Negative bias temperature ...
  • S. Borkar, "Electronics beyond nano-scale cmos, " in Proceedings of ...
  • M. Agarwal, B. C. Paul, Z. Ming, and S. A. ...
  • J. Ding, D. Reid, P. Asenov, C. Millar, and A. ...
  • G. Bersuker, J. Sim, C. Chang Seo Park Young, S. ...
  • _ _ _ direct-tunneling ultrathin gate oxide on MOSFEI scaling, ...
  • R. Vattikonda, W. Wang, and Y. Cao, "Modeling and minimization ...
  • _ _ _ _ function Variation using Rayleigh distribution, " ...
  • M. H. Chang, J. F. Zhang, and W. D. Zhang, ...
  • W. D. Zhang, J. F. Zhang, C. Z. Zhao, M. ...
  • C. Z. Zhao, M. B. Zahid, J. F. Zhang, G. ...
  • S. Zafar, Y. H. Kim, V. Narayanan, C. Cabral, _ ...
  • S.-C. Yang, H.-I. Yang, C.-T. Chuang, and W. Hwang, "Timing ...
  • I. Y. Hao, C. Ching-Te, and H. Wei, "Impacts of ...
  • S. V. Kumar, C. H. Kim, and S. S. Sapatnekar, ...
  • S. K. G. a. G. P. a. K. Roy, "NBTI ...
  • _ _ _ Voltage, " in Proceedings of the Proc. ...
  • W. Wang, S. Yang, S. Bhardwaj, and S. Vrudhula, "The ...
  • S. Bhardwaj, W. Wenping, R. Vattikonda, A. Y. C. Y. ...
  • _ _ _ _ _ Technology Circuits, " C omputer-Aided ...
  • Y. Wang, X. Chen, W. Wang, V. Balakrishnan, Y. Cao, ...
  • D. R. Bild, G. E. Bok, and R. P. Dick, ...
  • W. Kai-Chiang and D. Marculescu, "Joint logic restructuring and pin ...
  • نمایش کامل مراجع