بررسی شبیه سازی، طراحی و ساخت تضعیف کننده متغیر با استفاده از ترانزیستور اثر میدان

Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,367

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE16_103

تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386

Abstract:

در این مقاله طراحی یک تضعیف کننده قابل کنترل با استفاده از ترانزیستور اثر میدان به عنوان مقاومت قابل کنترل با ولتاژ و در نظر گرفتن ماکزیمم و مینیمم تضعیف به عنوان اهداف طراحی مورد بحث و بررسی قرار خواهد گرفت. در ابتدا مدارهای تضعیف کننده ای که تارنزیستور اثر میدان در ساختار آنها استفاده شده با نرم افزار ADS شبیه سازی شده و با توجه به میزان تضعیف VSWR، مداری با ساختار متقارن و دو طرفه و میزان تضهعیف قابل کنترل طراحی و ساخته شده است.

Keywords:

Authors

علیرضا حاجی تقی

کارشناس ارشد از دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

توحید زرگر ارشادی

استادیار دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • صالحی، علیرضا "ادوات نیمه هادی".، انتشارات دانشگاه خواجه نصیر الدین ...
  • Kwok K.Ng , "Complete Guide to semiconductor devices?, Mc GRAW-Hill. ...
  • Shiban k.koul & Shrathi Bhat , Microwave and millimeter Wave ...
  • Hakan Dogan, Robert G.Meyer and Ali.M .Niknejad, *Analysis and design ...
  • N.Poitrenaud, B . Lefebvre, S . Tranchant, M .camiade, 6A ...
  • 30Ghz Voltage variable Attenuator with High Linearity in low cast ...
  • Scarlet M.Daoud, Prasad N.SHastry, ?A Novel Wideband MMIC Voltage controlled ...
  • Stephen A. _ ass, Nonlinear Microwave and RF C i ...
  • نمایش کامل مراجع